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分立半导体
CSD18504Q5AT参考图片

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CSD18504Q5AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存:8,332(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.6896
66.896
100
¥5.1528
515.28
250
¥5.1528
1288.2
500
¥4.5539
2276.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
77 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18504Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
71 S
开发套件
EM1402EVM
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.8 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
2,000:¥2.2035
参考库存:21045
分立半导体
稳压二极管 Vz @Izt 12.11-12.75V Ippm 18.9V Max
4,500:¥0.28476
22,500:¥0.28476
参考库存:41476
分立半导体
整流器 Freds - TO-220-e3
1:¥13.8312
10:¥11.4469
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4297
参考库存:4497
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
2,500:¥4.7686
10,000:查看
参考库存:13804
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC
1:¥67.5401
10:¥60.7827
25:¥55.4039
100:¥49.946
参考库存:6761
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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