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分立半导体
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DMN26D0UT-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
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数量单价合计
1
¥2.3843
2.3843
10
¥1.6611
16.611
100
¥0.69156
69.156
1,000
¥0.47686
476.86
3,000
¥0.36838
1105.14
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
230 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN26
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
242 mS
下降时间
15.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.4 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
单位重量
2 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DBL208GHC1
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 2A,1200V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
5,000:¥1.7289
参考库存:38308
SS220LWHRQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A, 200V, SCHOTTKY
20,000:¥0.69156
参考库存:38313
BYG20D E2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1.5 AMPS, 200V High Efficient
15,000:¥0.79891
22,500:¥0.72207
45,000:¥0.63732
97,500:¥0.5989
参考库存:38318
BZD27C36PHRQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 36V, ZENER
10,000:¥0.9605
20,000:¥0.89948
50,000:¥0.80682
参考库存:38323
TSN525M60HS4G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Trench schottky 25amp 60v
12,000:¥3.1301
参考库存:38328

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