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分立半导体
2N6052G参考图片

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2N6052G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 12A 100V Bipolar Power PNP
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数量单价合计
1
¥54.4773
54.4773
10
¥49.2567
492.567
50
¥46.9515
2347.575
100
¥40.7252
4072.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
12 A
最大集电极截止电流
1000 uA
Pd-功率耗散
150 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2 (TO-3)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6052
封装
Tray
直流电流增益 hFE 最大值
18000
高度
8.51 mm
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
12 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12.020 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
1,500:¥4.2488
9,000:¥4.0906
参考库存:35882
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) WDFN6 2*2 LOW VCE(SAT) TR
1:¥6.4523
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7798
3,000:¥2.3391
参考库存:35887
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥918.238
10:¥861.6024
25:¥852.5398
50:¥838.4826
参考库存:35892
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
1:¥1.695
10:¥1.11418
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:1129101
分立半导体
稳压二极管 0.5W 6.2V 5%
1:¥0.7684
25:¥0.47686
100:¥0.33787
250:¥0.26894
参考库存:100313
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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