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分立半导体
FGH30S130P参考图片

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FGH30S130P

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库存:3,576(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
500
¥25.5154
12757.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1300 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH30S130P
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET PSMN0R7-25YLD/4 LEADS/REEL 7
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.8478
1,500:¥6.8478
参考库存:35421
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Ep Trans NPN,0.1A,30V
1:¥0.92208
25:¥0.7684
100:¥0.72998
250:¥0.65314
3,000:¥0.39211
6,000:查看
参考库存:13743
分立半导体
整流器 2.0 Amp 1500 Volt 30 Amp IFSM
1:¥5.1528
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
5,000:¥1.5594
10,000:查看
参考库存:190420
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥36.1939
10:¥30.736
100:¥26.668
250:¥25.2781
参考库存:4217
分立半导体
分立半导体模块 Power MOSFET - Linear
1:¥524.0488
2:¥513.6754
5:¥508.0706
10:¥492.1602
参考库存:4929
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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