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分立半导体
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FQA160N08

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库存：3,821(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.104
46.104
10
¥39.1093
391.093
100
¥33.9678
3396.78
250
¥32.1937
8048.425
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA160N08
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
92 S
下降时间
410 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
970 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
260 ns
典型接通延迟时间
85 ns
零件号别名
FQA160N08_NL
单位重量
5.200 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-T50RIA60
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 600 Volt 50 Amp
1:¥249.5718
5:¥238.2831
10:¥230.8251
25:¥212.1575
参考库存:32058
K1200GRP
Littelfuse
分立半导体
高压触发二极管 120V
5,000:¥3.0962
参考库存:32063
VS-81RIA120
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - TO-83/94 BRA SQ-e3
25:¥354.0742
50:¥343.0115
100:¥331.9488
250:¥309.8234
参考库存:32068
BAS116E6327XT
Infineon Technologies
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Silicon Low Leakage Diode
1:¥1.5368
10:¥1.05994
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:32073
D4810N24T VF
Infineon Technologies
分立半导体
整流器 Rectifier Diode 2400V 4810A
暂无价格
参考库存:32078

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    50万现货SKU

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