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分立半导体
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FQB4N80TM

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数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2659
3632.95
800
¥5.7404
4592.32
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB4N80
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.8 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HER1605C
Rectron
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2,000:¥13.673
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100:¥19.9784
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1,000:¥28.3517
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15:¥453.6611
25:¥439.4457
50:¥425.2303
100:¥405.4101
参考库存:39530

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    50万现货SKU

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