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分立半导体
KSE13003TH1ATU参考图片

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KSE13003TH1ATU

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库存:14,664(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3223
53.223
100
¥3.4352
343.52
1,000
¥2.7459
2745.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSE13003T
直流电流增益 hFE 最大值
40
高度
9.4 mm (Max)
长度
10.1 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.7 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
8
Pd-功率耗散
30000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
KSE13003TH1ATU_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 0.35W 28V 1.6A
1:¥3.6838
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
参考库存:59296
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-V Sw 500V
1:¥4.3053
10:¥3.5821
100:¥2.1809
1,000:¥1.695
3,000:¥1.4464
参考库存:61653
分立半导体
MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET
1:¥5.6839
10:¥4.6895
100:¥3.0284
1,000:¥2.4295
2,500:¥2.0453
参考库存:13090
分立半导体
MOSFET 60V 115mA N-Channel
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:489022
分立半导体
MOSFET N-Chnl 250V
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
参考库存:27379
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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