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分立半导体
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BF992,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.5765
45.765
25
¥4.1358
103.395
100
¥3.616
361.6
3,000
¥1.9662
5898.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 mA
Vds-漏源极击穿电压
20 V, 20 V
Rds On-漏源导通电阻
-
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143B-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
3 mm
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
通道模式
Depletion
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 20 V
零件号别名
933615000215
单位重量
9 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC114EUAT106
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DIGITL NPN 50V 50MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:39682
1N4110UR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥45.4147
10:¥36.499
100:¥33.2672
250:¥30.0467
参考库存:4494
DAN217WTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Switching Diode 80V 300mA EMD3
1:¥2.6894
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:8221
BC847CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:144738
BSM300GA120DN2
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 1200V 300A SINGLE
1:¥1,263.2496
5:¥1,232.8187
10:¥1,202.2409
25:¥1,185.4152
参考库存:3680

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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