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分立半导体
BFP840ESDH6327XTSA1参考图片

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BFP840ESDH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.938
29.38
100
¥1.7967
179.67
1,000
¥1.3899
1389.9
3,000
¥1.1865
3559.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP840
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.9 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
80 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
840ESD BFP BFP84ESDH6327XT H6327 SP000943010
单位重量
6.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:30476
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Noise 60Vcbo 40Vcbo 4.0pF
250:¥34.4198
500:¥27.8884
1,000:¥26.0465
2,500:¥24.747
参考库存:30481
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,369.2097
参考库存:30486
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
50:¥3,714.6716
参考库存:30491
分立半导体
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥6.8478
9,600:¥6.5879
参考库存:30496
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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