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分立半导体
SI4501BDY-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SI4501BDY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -8V Vds 8V Vgs SO-8 N&P PAIR
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库存:20,069(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
2,500
¥2.4634
6158.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 8 V
Id-连续漏极电流
9.5 A, 6.4 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms, 27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV, 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 8 V
Qg-栅极电荷
25 nC, 42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.5 W, 3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI4
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
29 S, 24 S
下降时间
10 ns, 14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns, 18 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 34 ns
典型接通延迟时间
16 ns, 22 ns
零件号别名
SI4501BDY-GE3
单位重量
540 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 2.0 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM
1:¥5.0737
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
5,000:¥1.5594
10,000:查看
参考库存:325807
分立半导体
整流器 Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 15A
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.7065
参考库存:11894
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
5,000:¥1.7628
参考库存:5676
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 BYR29X-800P/TO-220F/STANDARD M
1:¥6.6105
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
参考库存:24403
分立半导体
MOSFET P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:63970
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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