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分立半导体
SGB02N120参考图片

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SGB02N120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
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库存:2,903(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.9047
14.9047
10
¥12.6786
126.786
100
¥10.1474
1014.74
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.3789
7378.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGB02N120
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
6.2 A
高度
4.4 mm
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SGB02N120ATMA1 SGB2N12XT SP000012558
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:3140
分立半导体
达林顿晶体管 5A 100V Bipolar Power PNP
1:¥7.5258
10:¥6.3732
100:¥4.8929
500:¥4.3279
参考库存:8062
分立半导体
双向可控硅 Altnstr 800V 12A
1:¥23.1311
10:¥18.6676
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,000:¥10.8367
参考库存:5599
分立半导体
整流器 1200 Volt 85 Amp
1:¥142.6964
10:¥129.7014
20:¥119.9495
50:¥113.4972
参考库存:3261
分立半导体
MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.6838
10:¥2.0566
100:¥1.09158
500:¥0.91417
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:234123
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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