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分立半导体
IRF7820TRPBF参考图片

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IRF7820TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
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数量单价合计
1
¥9.7632
9.7632
10
¥8.2942
82.942
100
¥6.3619
636.19
500
¥5.6274
2813.7
4,000
¥3.9437
15774.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
78 mOhms
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001565562
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJW1302AG
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 250V 200W PNP
1:¥23.8995
10:¥20.2835
100:¥17.5941
250:¥16.6788
500:¥14.9838
参考库存:8011
MJD45H11G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 20W PNP
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
参考库存:33958
SS36-E3/57T
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0 Amp 60 Volt
1:¥3.9211
10:¥2.9493
100:¥2.1922
500:¥1.7967
850:¥1.3899
参考库存:107185
FDS6576
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SO-8 P-CH -20V
1:¥8.6784
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
2,500:¥3.9437
参考库存:59112
TPH11006NL,LQ
Toshiba
分立半导体
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 40A 23nC MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.0737
100:¥3.277
1,000:¥2.6216
3,000:¥2.2148
参考库存:97959

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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