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分立半导体
APT100GT120JU2参考图片

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APT100GT120JU2

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:2,933(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥388.8895
388.8895
5
¥375.8267
1879.1335
10
¥363.6114
3636.114
25
¥336.2541
8406.3525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:6850
分立半导体
MOSFET 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2659
500:¥6.4184
800:¥5.0737
参考库存:9042
分立半导体
MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:13569
分立半导体
分立半导体模块 2200V 800A
1:¥1,875.0542
5:¥1,829.9446
10:¥1,784.5299
25:¥1,759.4778
参考库存:5081
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:96468
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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