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分立半导体
ZXTN04120HP5TC参考图片

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ZXTN04120HP5TC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 120V NPN Med Pwr Darlington 1.5A 3.2W
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1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8194
38.194
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.7967
1796.7
5,000
¥1.5368
7684
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
14 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
最大集电极截止电流
100 nA
Pd-功率耗散
3.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
POWERDI5
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN04
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5000
增益带宽产品fT
150 MHz
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
5000
子类别
Transistors
商标名
PowerDI
单位重量
96 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSKT26/12
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 1200 Volt 27 Amp 420 Amp IFSM
1:¥313.7332
5:¥305.3599
10:¥293.5288
参考库存:2016
FDA16N50-F109
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 500V 16.5A NCH
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:3933
SGH40N60UFTU
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT
1:¥38.8042
10:¥33.0412
100:¥28.589
250:¥27.12
参考库存:2780
VS-VSKJ91/10
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 1000 Volt 100 Amp 2115 Amp IFSM
1:¥314.6598
5:¥306.2865
10:¥294.3763
参考库存:2062
ZTX551STZ
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:11914

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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