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分立半导体
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IHW30N110R3FKSA1

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数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥30.5778
305.778
100
¥26.5098
2650.98
250
¥25.1312
6282.8
500
¥22.5887
11294.35
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1100 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N110R3 IHW3N11R3XK SP000702510
单位重量
5.400 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
M254034V
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 40A 1000V SCR BRDG MODULE POWER
1:¥599.4311
10:¥570.4579
25:¥558.1635
50:¥544.9538
100:¥528.8852
参考库存:37474
Q6012NH5TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V 12A 50-50-50mA
1:¥20.3626
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.30
1,000:¥9.2999
参考库存:37479
BCX71K
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP/ 45V/ 500mA
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:13513
BUK7613-75B,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.8929
800:¥3.8646
参考库存:37486
VS-T90RIA100
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 1000 Volt 90 Amp
1:¥311.6653
5:¥303.3598
10:¥291.6078
参考库存:5745

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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