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分立半导体
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FZT694BTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT694
直流电流增益 hFE 最大值
150
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
150 at 400 mA, 2 V
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT15DQ100BG
Microsemi
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥21.8994
10:¥17.6732
100:¥14.1363
250:¥13.3679
参考库存:4180
APT51M50J
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power MOSFET - MOS8
1:¥213.5361
5:¥203.9311
10:¥197.5579
25:¥181.5684
参考库存:2272
STGWT28IH125DF
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 1250V 25A trench gte field-stop IGBT
1:¥38.646
10:¥32.8152
100:¥28.4308
250:¥26.9731
参考库存:2829
VS-40HFLR60S02
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 600 Volt 40 Amp
1:¥102.3554
10:¥92.9764
20:¥86.0608
50:¥81.3713
参考库存:2351
VS-VSKJ91/08
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 800 Volt 100 Amp 2115 Amp IFSM
1:¥311.5071
5:¥303.292
10:¥291.5287
参考库存:2253

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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