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分立半导体
DMN3024LK3-13参考图片

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DMN3024LK3-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
2,500
¥1.3334
3333.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14.4 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN3024
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
16.5 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-T50RIA60
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 600 Volt 50 Amp
1:¥249.5718
5:¥238.2831
10:¥230.8251
25:¥212.1575
参考库存:32058
K1200GRP
Littelfuse
分立半导体
高压触发二极管 120V
5,000:¥3.0962
参考库存:32063
VS-81RIA120
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - TO-83/94 BRA SQ-e3
25:¥354.0742
50:¥343.0115
100:¥331.9488
250:¥309.8234
参考库存:32068
BAS116E6327XT
Infineon Technologies
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Silicon Low Leakage Diode
1:¥1.5368
10:¥1.05994
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:32073
D4810N24T VF
Infineon Technologies
分立半导体
整流器 Rectifier Diode 2400V 4810A
暂无价格
参考库存:32078

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    50万现货SKU

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