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BSS806NE H6327

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库存：26,297(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.62263
1867.89
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS806
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
3.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
零件号别名
BSS806NEH6327XTSA1 SP000999336
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
KSC5026MOS
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor
1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
参考库存:38218
MRF157
MACOM
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
1:¥3,621.9325
10:¥3,565.9184
参考库存:3655
FGB20N60SFD
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
800:¥14.2154
2,400:查看
参考库存:7562
Z4DGP406L-HF
Comchip Technology
分立半导体
桥式整流器 Low VF 4A 600V
1:¥8.4524
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
3,000:¥3.1979
9,000:查看
参考库存:60394
ULQ2003AD
Texas Instruments
分立半导体
达林顿晶体管 Darlington
1:¥5.537
10:¥4.6104
100:¥2.9832
1,000:¥2.3843
参考库存:56071

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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