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分立半导体
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BSS806NE H6327

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库存：26,297(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.62263
1867.89
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS806
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
3.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
零件号别名
BSS806NEH6327XTSA1 SP000999336
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QJ6025JH6TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 60V 25A 80mA HI TEMP TO-218X Isolated
1:¥59.6301
10:¥53.7089
25:¥48.9516
100:¥44.183
参考库存:28561
ALD310508PAL
Advanced Linear Devices
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch/Dual P-Ch EPAD Matched Pair
暂无价格
参考库存:28566
BUK6C2R1-55C,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-chan TrenchMOS FET
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
800:¥11.8311
2,400:查看
参考库存:31315
1N1344C
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
100:¥203.2418
250:¥186.563
500:¥177.5795
参考库存:28573
VS-85HFL10S02
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 100 Volt 85 Amp
100:¥83.0663
200:¥75.7665
500:¥70.851
1,000:¥65.0089
参考库存:28578

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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