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分立半导体
APT27HZTR-G1参考图片

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APT27HZTR-G1

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.0566
20.566
100
¥0.88366
88.366
1,000
¥0.67574
675.74
2,000
¥0.51528
1030.56
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1.6 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
APT27
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 100 mA, 10 V
封装
Ammo Pack
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
6 at 300 mA, 10 V
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX453
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:29778
BTA10-600CRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 10 Amp 600 Volt
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥6.9947
参考库存:8145
IDP40E65D2XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 IGBT PRODUCTS
1:¥17.7523
10:¥15.0629
100:¥12.0684
500:¥10.5316
参考库存:6677
APT10M11JVRU3
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
1:¥345.3958
5:¥333.7907
10:¥322.954
25:¥298.6816
参考库存:1949
NVMFD5489NLT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1642
1,500:¥5.537
4,500:查看
参考库存:9106

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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    物料均可追溯

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