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分立半导体

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FP35R12KT4_B11

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库存:2,433(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥646.9137
646.9137
5
¥635.0035
3175.0175
10
¥606.4258
6064.258
25
¥586.2101
14655.2525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
封装 / 箱体
Econo 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP35R12KT4B11BOSA1 SP000372921
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Dual Zener Diode 25.1 to 28.9V 6.2mA
6,000:¥1.1413
9,000:¥1.05994
24,000:¥1.00683
45,000:¥0.9831
参考库存:110310
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,036.2665
参考库存:36310
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor planar high Vltg
10,000:¥0.87575
24,000:¥0.79891
50,000:¥0.7684
参考库存:36315
分立半导体
桥式整流器
2,000:¥6.4975
2,600:¥6.0568
5,000:¥5.8308
参考库存:36320
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,35V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
2,000:¥2.9154
4,000:¥2.7798
参考库存:36325
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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