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分立半导体
FP75R12KT4参考图片

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FP75R12KT4

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库存:2,826(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,128.4745
1128.4745
5
¥1,106.27
5531.35
10
¥1,054.7081
10547.081
25
¥1,032.5714
25814.285
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.25 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
385 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP75R12KT4BOSA1 SP000355581
单位重量
300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
1,500:¥4.2488
9,000:¥4.0906
参考库存:35882
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) WDFN6 2*2 LOW VCE(SAT) TR
1:¥6.4523
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7798
3,000:¥2.3391
参考库存:35887
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥918.238
10:¥861.6024
25:¥852.5398
50:¥838.4826
参考库存:35892
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
1:¥1.695
10:¥1.11418
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:1129101
分立半导体
稳压二极管 0.5W 6.2V 5%
1:¥0.7684
25:¥0.47686
100:¥0.33787
250:¥0.26894
参考库存:100313
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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