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分立半导体
HN2A01FU-Y(TE85L,F参考图片

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HN2A01FU-Y(TE85L,F

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans PNP x 2 US6, -50V, -0.15A
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.3278
23.278
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
US-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.1 V
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
HN2A01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SB1124S-TD-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 50V
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
参考库存:24488
R6030ENZ1C9
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥40.9512
10:¥34.804
100:¥30.1258
250:¥28.589
450:¥25.6623
参考库存:3645
FDS8876
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH
1:¥6.3732
10:¥5.4127
100:¥4.1584
500:¥3.6725
2,500:¥2.5764
10,000:查看
参考库存:18222
FDB12N50TM
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 500V N-CH MOSFET
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
800:¥7.7631
参考库存:7229
BB156,115
NXP Semiconductors
分立半导体
变容二极管 TAPE-7 DIO-RFSS
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:19346

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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