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FQI5N60CTU

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数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.5258
3762.9
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
11.05 mm
长度
10.9 mm
系列
FQI5N60C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4.7 S
下降时间
46 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
FQI5N60CTU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSF20U100C C0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Dual Trench schottky 20amp 100v
2,000:¥4.4296
4,000:¥4.2262
参考库存:44731
SF1604PT C0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 16A, 200V, 35NS, , DUAL RECTIFIER
900:¥6.1359
参考库存:44736
DBL158GHC1
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 1.5A,1200V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
5,000:¥1.4238
参考库存:44741
HERA805G C0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 8.0 Amp 400 Volt 150 Amp IFSM
2,000:¥4.1923
参考库存:44746
DBL156GHC1
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 1.5A,800V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
5,000:¥1.4238
参考库存:44751

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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