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分立半导体
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FQI50N06TU

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库存：6,688(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9099
590.99
500
¥5.2206
2610.3
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FQI50N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQI50N06TU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MPS3706
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
5,000:¥1.6498
10,000:¥1.582
25,000:¥1.5255
50,000:¥1.5029
参考库存:38598
S1A E3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 50V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
3,600:¥0.5763
9,000:¥0.45313
23,400:¥0.4068
48,600:¥0.3616
99,000:¥0.29945
参考库存:38603
KL3Z07-5053
Shindengen
分立半导体
高压触发二极管 VDRM=5 ITSM=30
2,000:¥7.91
4,000:¥6.8591
10,000:¥6.6896
参考库存:38608
APTLGT400A608G
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥2,135.9938
参考库存:38613
MBR75100R
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V - 75A Schottky Rectifier
100:¥158.1322
200:¥145.1485
500:¥138.1538
参考库存:38618

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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