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分立半导体
STGWT30V60DF参考图片

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STGWT30V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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库存：5,643(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.2782
27.2782
10
¥23.2102
232.102
100
¥20.0575
2005.75
250
¥19.0518
4762.95
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
258 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT30V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3485A/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥85.5184
250:¥77.9926
500:¥72.998
1,000:¥66.9299
参考库存:47357
SSM6J50TU(TE85L,F)
Toshiba
分立半导体
MOSFET Vds=-20V Id=-2.5A 6Pin
暂无价格
参考库存:47362
CDLL4746A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥27.5833
258:¥27.5833
500:¥24.8148
1,000:¥20.905
2,500:¥19.8993
参考库存:47367
1N7048-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳流二极管
100:¥55.483
129:¥55.483
200:¥51.0195
500:¥46.4882
1,000:¥40.4992
参考库存:47372
JANTX1N759AUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥67.9243
116:¥67.9243
200:¥62.3986
500:¥56.8616
1,000:¥49.5618
参考库存:47377

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    50万现货SKU

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