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分立半导体
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BSZ15DC02KD H

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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
5,000
¥3.0623
15311.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.1 A, 3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms, 97 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV, 1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
2.8 nC, - 4.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5.5 S, 3.4 S
下降时间
1.4 ns, 4.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns, 3.7 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.2 ns, 11.3 ns
典型接通延迟时间
4.9 ns, 7.4 ns
零件号别名
BSZ15DC02KDHXTMA1 SP000961028
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT15DQ100BG
Microsemi
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥21.8994
10:¥17.6732
100:¥14.1363
250:¥13.3679
参考库存:4180
APT51M50J
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power MOSFET - MOS8
1:¥213.5361
5:¥203.9311
10:¥197.5579
25:¥181.5684
参考库存:2272
STGWT28IH125DF
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 1250V 25A trench gte field-stop IGBT
1:¥38.646
10:¥32.8152
100:¥28.4308
250:¥26.9731
参考库存:2829
VS-40HFLR60S02
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 600 Volt 40 Amp
1:¥102.3554
10:¥92.9764
20:¥86.0608
50:¥81.3713
参考库存:2351
VS-VSKJ91/08
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 800 Volt 100 Amp 2115 Amp IFSM
1:¥311.5071
5:¥303.292
10:¥291.5287
参考库存:2253

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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