APT60GF120JRDQ3原装正品_库存数量_PDF手册

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	2.5 V
在25 C的连续集电极电流	149 A
栅极—射极漏泄电流	100 nA
Pd-功率耗散	625 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DRA5143Y0L	Panasonic	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm	3,000:¥0.50737 9,000:¥0.45313 24,000:¥0.42262	参考库存:28077
VS-305URA250	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	二极管 - 通用，功率，开关 2500 Volt 300 Amp	12:¥867.3654 36:¥849.1611 60:¥837.0927 108:¥806.7409	参考库存:28082
DRA3123J0L	Panasonic	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm	10,000:¥0.56839 20,000:¥0.53788	参考库存:28087
SC8673010L	Panasonic	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 30V Dual N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm	1:¥19.5942 10:¥15.9104 100:¥12.6786 500:¥11.1418 1,000:¥9.2208 3,000:¥9.2208	参考库存:28092
IRFIBC40GLCPBF	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET	1,000:¥17.5941 3,000:¥16.6788 5,000:¥16.0573	参考库存:28097