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产品分类

分立半导体
SIHB24N65E-E3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SIHB24N65E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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库存:25,373(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥37.9567
379.567
100
¥31.1993
3119.93
250
¥30.2727
7568.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
E
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥44.7932
10:¥35.9566
100:¥32.8152
250:¥29.5834
参考库存:30061
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥329.6436
5:¥313.123
10:¥304.8966
25:¥280.1609
参考库存:30066
分立半导体
变容二极管
1:¥192.4051
5:¥183.8058
10:¥178.0428
25:¥163.5901
参考库存:30071
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥413.1732
2:¥405.557
5:¥400.9466
10:¥388.8104
参考库存:30076
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥257.2558
5:¥245.7298
10:¥238.0458
25:¥218.6889
参考库存:30081
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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