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分立半导体
SSM6J771G,LF参考图片

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SSM6J771G,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm
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数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
3,000
¥1.8758
5627.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WCSP6C-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.5 mm
长度
1.5 mm
系列
SSM6J771
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
1 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
19 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
1.700 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BF513,215
NXP Semiconductors
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS
1:¥6.3732
10:¥5.65
25:¥5.1076
100:¥4.4748
3,000:¥2.4408
6,000:查看
参考库存:18166
FGH40T65SHD-F155
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
IGBT 晶体管 FS3TIGBT TO247 40A 650V
1:¥33.8096
10:¥28.7359
100:¥24.8939
250:¥23.6622
参考库存:3228
BT137-800,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 RAIL TRIAC
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:9675
SH8J62TB1
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET
1:¥8.6784
10:¥7.3789
100:¥5.6726
500:¥5.0059
2,500:¥3.5143
10,000:查看
参考库存:9257
CMPS5064 TR
Central Semiconductor
分立半导体
SCR SMD SCR
1:¥6.9156
10:¥5.6613
100:¥4.7121
500:¥3.6386
1,000:¥3.2883
3,000:¥3.2883
参考库存:18269

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    4小时快速发货

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