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分立半导体
TK39N60W,S1VF参考图片

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TK39N60W,S1VF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
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库存：2,769(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥79.9136
79.9136
25
¥65.54
1638.5
100
¥59.0877
5908.77
500
¥49.5618
24780.9
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38.8 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK39N60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
80 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MUR260G
ON Semiconductor
分立半导体
整流器 600V 2A UltraFast
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
参考库存:9499
BZX79-B22,113
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥1.6159
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:35901
APT5010LVRG
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥194.1001
5:¥186.4952
10:¥179.5005
25:¥164.9009
参考库存:1983
KSB1366GTU
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥6.3732
10:¥5.4127
100:¥4.1697
500:¥3.6838
参考库存:9105
MMSZ5226BS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 3.3V 200mW
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:51347

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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