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分立半导体
TK39N60W,S1VF参考图片

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TK39N60W,S1VF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
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库存:2,769(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥79.9136
79.9136
25
¥65.54
1638.5
100
¥59.0877
5908.77
500
¥49.5618
24780.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38.8 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK39N60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
80 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET BUK7Y8R7-60E/LFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥6.7574
10:¥5.7291
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0736
1,500:¥3.0736
参考库存:5105
分立半导体
MOSFET 600N-Channel MOSFET UniFET-II
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.893
参考库存:7392
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Ct=.045pF Rs=7 Ohm To 80GHz
100:¥21.6734
200:¥19.5942
500:¥17.5941
1,000:¥14.3736
参考库存:7279
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
2,000:¥0.39211
参考库存:17571
分立半导体
稳压二极管 5.1V 250mW
1:¥1.07576
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:1194428
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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