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分立半导体
CSD18502KCS参考图片

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CSD18502KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40-V, N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs
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库存:5,976(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.1364
16.1364
10
¥13.673
136.73
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
212 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
52 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
259 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD18502KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
138 S
下降时间
9.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:5230
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥58.6244
10:¥52.5563
100:¥43.4146
250:¥37.7307
参考库存:4032
分立半导体
双向可控硅 600V 8A 50-50-50mA
1:¥14.5996
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.8365
参考库存:2384
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Med PWR 1A Ic 2A 150mA
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:7426
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:11863
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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