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分立半导体

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APT100GT60JR

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
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库存:4,183(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥190.6423
190.6423
5
¥182.1108
910.554
10
¥176.4269
1764.269
25
¥162.0533
4051.3325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
148 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
500 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Auto Q101 300V SGL N-CH HEXFET
1:¥45.4147
10:¥38.646
100:¥33.5045
250:¥31.7304
参考库存:4367
分立半导体
MOSFET MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC
1:¥33.0412
10:¥28.0466
100:¥24.2837
250:¥23.052
800:¥17.4472
2,400:查看
参考库存:10754
分立半导体
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥20.7468
10:¥17.6732
100:¥14.1363
500:¥12.3735
参考库存:5046
分立半导体
桥式整流器 RECOMMENDED ALT 844-KBPC808
1:¥28.4308
10:¥23.5944
100:¥19.436
200:¥18.8258
参考库存:2443
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V Vr 0.12A Io SBD SOT-23 0.04A
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:12980
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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