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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.1 V
在25 C的连续集电极电流	148 A
栅极—射极漏泄电流	300 nA
Pd-功率耗散	500 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DZ23C36-7-F	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 300MW 36V	1:¥3.0736 10:¥2.0001 100:¥0.86106 1,000:¥0.66105 3,000:¥0.49946	参考库存:21651
IRF3710ZSTRLPBF	Infineon / IR	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg	1:¥12.4526 10:¥10.5994 100:¥8.4524 500:¥7.4354 800:¥6.1585	参考库存:33883
SMMBTA92LT3G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR SPCL TR	1:¥2.9945 10:¥1.9323 100:¥0.82942 1,000:¥0.63732 10,000:¥0.43053 20,000:查看	参考库存:61920
FDMC8015L	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET	1:¥6.4523 10:¥5.311 100:¥3.4239 1,000:¥2.7459 3,000:¥2.3165	参考库存:34297
DZ23C10-G3-18	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 10 Volt 0.3 Watt 5%	1:¥2.8476 10:¥1.9097 100:¥0.9379 500:¥0.79891 10,000:¥0.35369 20,000:查看	参考库存:51799