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分立半导体
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MJE5850G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 300V 80W PNP
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数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥17.7523
177.523
100
¥14.1363
1413.63
500
¥12.3735
6186.75
1,000
¥10.2943
10294.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
2 V
最大直流电集电极电流
8 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE5850
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
封装
Tube
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PLZ3V6B-G3/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 500mW PLZ Zener MicroSMF (DO-219AC)
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
4,500:¥0.32318
9,000:查看
参考库存:112511
PLZ39B-G3/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Vz @Izt 35.36-37.19V Ippm 57.4V Max
4,500:¥0.28476
22,500:¥0.28476
参考库存:42757
RQ3L050GNTB
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8984
参考库存:16488
VS-GP100TS60SFPBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
IGBT 晶体管 Ic 100A Vce(On)1.16V Half Brdge Trench PT
1:¥625.3985
5:¥613.1041
10:¥587.4418
25:¥568.4578
参考库存:2680
PLZ36A-HG3/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Vz @Izt 32.14-33.79V AEC-Q101 Qualified
4,500:¥0.28476
22,500:¥0.28476
参考库存:42766

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    50万现货SKU

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