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分立半导体
APT50GN60BDQ2G参考图片

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APT50GN60BDQ2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存:3,111(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥64.3196
643.196
25
¥58.5566
1463.915
100
¥52.8614
5286.14
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
107 A
Pd-功率耗散
366 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
107 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
107 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.4414
10:¥11.9893
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.7687
3,000:¥6.7687
参考库存:34507
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A,200V Trench Sky Rect
1:¥4.3844
10:¥3.3109
100:¥2.4634
500:¥2.0227
3,500:¥1.4238
7,000:查看
参考库存:42244
分立半导体
MOSFET PCH 2.5V Power MOSFE
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:44526
分立半导体
MOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
1:¥7.0738
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
1,500:¥2.8476
9,000:查看
参考库存:106918
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A 15V Single Die Schottky Rectifier
1:¥7.3789
10:¥6.0568
100:¥4.6443
500:¥4.0002
1,000:¥3.1527
3,500:¥3.1527
参考库存:45740
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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