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分立半导体
APT50GN60BDQ2G参考图片

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APT50GN60BDQ2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥64.3196
643.196
25
¥58.5566
1463.915
100
¥52.8614
5286.14
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
107 A
Pd-功率耗散
366 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
107 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
107 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QK004L4TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 1000V 4A 25-25-25mA
1:¥17.4472
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:39083
QK008N5RP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 1000V 8A 50-50-50mA
1:¥21.131
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.6842
1,000:¥9.6841
参考库存:39088
JANTX1N3614
Semtech
分立半导体
整流器 D MET 1A STD 800V HR
1:¥75.8456
10:¥68.93
25:¥63.7772
50:¥60.3194
参考库存:39093
BYR29-800,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
整流器 RAIL REC-EPI
1:¥7.6049
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
参考库存:39098
Q8015R5TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 800V 15A 50-50-50mA
1:¥23.5944
10:¥18.984
100:¥15.2098
500:¥13.2888
1,000:¥10.9836
参考库存:39103

  • 海量现货

    50万现货SKU

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