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分立半导体
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APT75GP120J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥312.7388
312.7388
2
¥304.2073
608.4146
5
¥295.834
1479.17
10
¥287.3816
2873.816
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
在25 C的连续集电极电流
128 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
543 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N3821D-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥242.046
250:¥222.1467
参考库存:53396
JAN1N5540C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥101.7339
250:¥92.7504
500:¥86.7501
1,000:¥79.5294
参考库存:53401
1N3049BUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥111.5762
250:¥101.7339
500:¥95.2025
1,000:¥87.2925
参考库存:53406
JANTX1N4126CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥162.6748
250:¥149.2956
500:¥142.0749
参考库存:53411
JAN1N4495D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥170.2797
250:¥156.2903
500:¥148.7645
参考库存:53416

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    50万现货SKU

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