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分立半导体
SBR3060CTFP参考图片

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SBR3060CTFP

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 肖特基二极管与整流器 30A 60V
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数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.5879
658.79
500
¥5.8308
2915.4
1,000
¥4.5991
4599.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
肖特基二极管与整流器
RoHS
产品
Schottky Diodes
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
If - 正向电流
30 A
Vrrm - 重复反向电压
60 V
Vf - 正向电压
0.7 V
Ifsm - 正向浪涌电流
200 A
配置
Dual Common Cathode
技术
Si
Ir - 反向电流
500 uA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SBR3060
封装
Tube
高度
15.2 mm
长度
10.36 mm
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
端接类型
Radial
类型
Switching Diode
宽度
4.7 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量
50
子类别
Diodes & Rectifiers
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6388
5,000:¥5.6839
10,000:查看
参考库存:16788
分立半导体
MOSFET 60V 0.115A 0.2W
1:¥4.3844
10:¥2.4634
100:¥1.3221
500:¥1.05994
3,000:¥0.68365
6,000:查看
参考库存:2069050
分立半导体
MOSFET Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V
1:¥1.7628
10:¥1.5368
100:¥0.53788
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
9,000:¥0.23052
参考库存:39662
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥73.3031
10:¥66.3084
25:¥63.2348
100:¥54.8615
3,000:¥40.115
参考库存:16464
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 300A HSOF-8
1:¥52.3303
10:¥47.2566
25:¥45.1096
100:¥39.1093
2,000:¥28.589
参考库存:105031
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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