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分立半导体
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2N6341G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 150V 200W NPN
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数量单价合计
1
¥93.0555
93.0555
10
¥85.5975
855.975
20
¥82.0606
1641.212
100
¥72.3087
7230.87
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
150 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
最大直流电集电极电流
25 A
增益带宽产品fT
40 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6341
高度
8.51 mm (Max)
长度
39.37 mm
封装
Tray
宽度
26.67 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
25 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
1.600 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ETT580N16P60HPSA1
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块
1:¥1,500.527
5:¥1,464.4122
10:¥1,428.0714
25:¥1,408.0139
参考库存:4702
ZVN4306GTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:19574
BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥5.537
10:¥4.6217
100:¥2.9832
1,000:¥2.3843
5,000:¥2.0114
参考库存:28261
BSC020N03LSGATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
1,000:¥5.085
5,000:¥4.8364
参考库存:54133
STW11NM80
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
1:¥46.0249
10:¥41.5727
25:¥39.6517
100:¥34.4198
参考库存:7675

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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