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分立半导体
FGA30N65SMD参考图片

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FGA30N65SMD

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库存:5,276(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.3517
28.3517
10
¥24.0464
240.464
100
¥20.905
2090.5
250
¥19.8202
4955.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.29 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA30N65SMD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥249.0407
5:¥237.8198
10:¥230.4409
25:¥211.6942
参考库存:26579
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1,007.5984
2:¥987.7782
5:¥954.8952
10:¥937.7531
参考库存:26584
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V 1A
1:¥3.0736
10:¥2.2939
100:¥1.243
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.80682
参考库存:26589
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:26594
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥140.459
10:¥127.6335
25:¥118.1076
50:¥111.7231
参考库存:26599
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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