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分立半导体
FGA30N65SMD参考图片

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FGA30N65SMD

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库存:5,276(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.3517
28.3517
10
¥24.0464
240.464
100
¥20.905
2090.5
250
¥19.8202
4955.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.29 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA30N65SMD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5594
12,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
参考库存:26878
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.198
4,500:¥5.0059
9,000:¥4.8025
参考库存:26883
分立半导体
稳压二极管 8.2 Volt 1 Watt 10%
5,000:¥1.5594
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4464
参考库存:26888
分立半导体
MOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R
2,500:¥2.8476
10,000:¥2.7346
25,000:¥2.6555
参考库存:26893
分立半导体
MOSFET GenPurposeTranstr
暂无价格
参考库存:26898
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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