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分立半导体
PBSS5260PAP,115参考图片

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PBSS5260PAP,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 2A PNP/PNP lo VCEsat transistor
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥3.051
30.51
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4351
1435.1
3,000
¥1.2317
3695.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-2020-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 100 mV
最大直流电集电极电流
- 3 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
250
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
170
Pd-功率耗散
1450 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.200 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSKN41/16
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 Input Modules - AAP DBC
1:¥316.0384
5:¥307.6651
10:¥295.7549
25:¥273.4713
参考库存:42238
VS-20TQ040STRL-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥6.9721
参考库存:42243
PD85025-E
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:42248
FDMD8630
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET FET 30V 167A 1.0 mOhm
1:¥45.7198
10:¥38.8833
100:¥33.6514
250:¥31.9677
3,000:¥22.9729
参考库存:42253
T4021N52TOH
Infineon Technologies
分立半导体
SCR模块 NETZ-THYRISTOR PHASE CONTROL
1:¥27,425.5746
参考库存:42258

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    50万现货SKU

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