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分立半导体
MMBT123S-7-F参考图片

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MMBT123S-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 18V 300mW
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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.8193
18.193
100
¥0.76049
76.049
1,000
¥0.52206
522.06
3,000
¥0.4068
1220.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBT123
直流电流增益 hFE 最大值
800
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
150
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
Z0410MF0AA2
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 4A TRIACS
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
参考库存:30033
MPQ2484
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Quad NPN Low Noise
1:¥73.3031
10:¥72.6929
25:¥66.2406
100:¥59.777
参考库存:8325
NTBV5605T4G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET 60V 18.5A 14MO
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.6614
500:¥6.7687
800:¥6.7687
参考库存:8272
BAV70E6327HTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 AF DIODE 85V 0.2A
1:¥1.3786
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:201634
BCR 119S H6327
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:38361

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