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分立半导体
DMC3026LSD-13参考图片

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DMC3026LSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
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库存:13,204(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.9437
39.437
100
¥2.4069
240.69
1,000
¥1.8645
1864.5
2,500
¥1.582
3955
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.5 A, 6.2 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6 nC, 10.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMC3026
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.3 ns, 40.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns, 17.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.3 ns, 60.5 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns, 9.7 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥48.9516
10:¥41.6518
100:¥36.0357
250:¥34.1938
参考库存:6757
分立半导体
MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:34584
分立半导体
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
2,000:查看
参考库存:8431
分立半导体
MOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
1,500:¥7.2433
4,500:查看
参考库存:58423
分立半导体
IGBT 晶体管 Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.831
2,500:¥7.5371
5,000:查看
参考库存:16425
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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