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分立半导体
QS6M4TR参考图片

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QS6M4TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
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库存:13,143(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6612
36.612
100
¥2.2374
223.74
1,000
¥1.7289
1728.9
3,000
¥1.695
5085
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
QS6M4
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
18 ns, 12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 45 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 10 ns
零件号别名
QS6M4
单位重量
14 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 T MET BI 1500W
1:¥164.98
5:¥157.6011
10:¥152.6856
25:¥140.233
参考库存:42163
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
参考库存:42168
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5350T/TO-236AB/REEL 11" Q3
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:42173
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A SBR 45Vrrm 0.6Vf 0.28mA 120A
5,000:¥1.3334
参考库存:42178
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H
1:¥2,904.6311
5:¥2,859.9848
10:¥2,817.4177
25:¥2,756.635
50:¥2,714.2939
参考库存:42183
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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