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分立半导体
IPD60R380C6ATMA1参考图片

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IPD60R380C6ATMA1

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库存:46,638(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.8368
12.8368
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6388
3819.4
1,000
¥6.328
6328
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10.6 A
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPD60R380C6 SP001117716
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 600V N-Ch SupreMOS FRFET MOSFET
1:¥52.8614
10:¥47.799
25:¥45.5616
100:¥39.4935
参考库存:4564
分立半导体
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 193A
1:¥19.9784
10:¥16.9839
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:16851
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SNGL PNP GP TRA SOT1123
1:¥3.5369
10:¥2.2487
100:¥0.96841
1,000:¥0.73789
8,000:¥0.49946
24,000:查看
参考库存:36353
分立半导体
整流器 New Input Diodes - TO-247-e3
1:¥86.2868
10:¥77.6875
25:¥70.7719
100:¥63.8563
参考库存:4480
分立半导体
MOSFET N-CH 40V 2.8 mOhm Standard MOSFET
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
1,000:¥3.9211
1,500:¥3.9211
参考库存:88527
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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