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分立半导体
CSD16323Q3参考图片

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CSD16323Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存:77,013(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.9156
69.156
100
¥5.2997
529.97
500
¥4.6669
2333.45
2,500
¥3.277
8192.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
6.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16323Q3
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
43.700 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SS Power
1:¥62.8506
10:¥62.3195
25:¥56.7825
100:¥51.2568
参考库存:4686
分立半导体
桥式整流器 100Vr 70Vrms 100V 35A 1.0V 13pF
1:¥3.1527
10:¥2.0453
100:¥1.3786
500:¥1.1413
3,000:¥0.71416
9,000:查看
参考库存:106728
分立半导体
肖特基二极管与整流器 6A 60V
1:¥5.6048
10:¥4.6895
100:¥3.0284
1,000:¥2.4182
1,800:¥2.0453
参考库存:22540
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 100V Io/200mA BULK
1:¥0.7684
10:¥0.51528
100:¥0.18419
1,000:¥0.12317
参考库存:1237472
分立半导体
双向可控硅 TAPE13 TRIAC
1:¥5.2206
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥1.8193
参考库存:45889
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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