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分立半导体
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CSD87312Q3E

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6105
66.105
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.4974
2248.7
2,500
¥3.1527
7881.75
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
6.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD87312Q3E
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
39 S
下降时间
2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
单位重量
31.200 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CJD45H11 TR13
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 5.0Vebo 16A ICM 20W PD
2,500:¥7.4919
参考库存:42078
3EZ68DE3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.0059
9,000:¥4.8251
参考库存:42083
GBU6C-E3/51
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 150 Volt 6.0 Amp Glass Passivated
1,000:¥6.554
2,500:¥6.102
5,000:¥5.876
10,000:¥5.65
参考库存:42088
1N5341CE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,250:¥7.8422
2,500:¥7.3337
5,000:¥7.0738
10,000:¥6.5314
参考库存:42093
TZMA8V2-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD80 MINIMELF-e2
12,500:¥0.84524
25,000:¥0.77631
参考库存:42098

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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