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分立半导体
BSC22DN20NS3GATMA1参考图片

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BSC22DN20NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:24,854(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.1359
61.359
100
¥4.7121
471.21
500
¥4.1697
2084.85
5,000
¥2.9154
14577
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
194 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
3.5 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
BSC22DN20NS3 BSC22DN2NS3GXT G SP000781778
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener Diode
3,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
45,000:¥0.24634
参考库存:155801
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.4469
10:¥9.5259
25:¥7.91
100:¥7.2207
2,000:¥4.6556
参考库存:39990
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:135808
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.41471
参考库存:39997
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin
10,000:¥0.26894
20,000:¥0.24634
50,000:¥0.23052
100,000:¥0.20792
参考库存:40002
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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