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分立半导体
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PD57060-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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数量单价合计
1
¥415.5462
415.5462
5
¥406.2576
2031.288
10
¥390.3472
3903.472
25
¥377.7477
9443.6925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP740FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:25284
ZVN3310FTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET N-Chnl 100 V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.9097
参考库存:13616
RB751S40T1G
ON Semiconductor
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10:¥1.09836
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:367113
BSC0906NS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
5,000:¥2.0001
参考库存:54695
BD437TG
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 45V 36W NPN
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
参考库存:92207

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    50万现货SKU

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