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分立半导体
SIHG33N60E-GE3参考图片

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SIHG33N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:4,032(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥58.6244
58.6244
10
¥52.5563
525.563
100
¥43.4146
4341.46
250
¥37.7307
9432.675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
98 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
103 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
43 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
161 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
1:¥41.7987
10:¥35.5724
100:¥30.8151
250:¥29.1992
1,000:¥22.1254
2,000:查看
参考库存:5797
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 1.3 Watt 2%
1:¥3.2996
10:¥1.8871
100:¥1.01474
500:¥0.81473
5,000:¥0.47686
10,000:查看
参考库存:101924
分立半导体
整流器 1A 100V Hyprfst Rcfr AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.2374
100:¥1.3108
500:¥1.05994
10,000:¥0.61472
参考库存:74046
分立半导体
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
1:¥63.393
10:¥57.3249
25:¥54.6355
100:¥47.4148
1,000:¥35.9566
2,000:查看
参考库存:6223
分立半导体
MOSFET 20V 6.7A 0.03Ohm
1:¥6.7574
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.6838
3,000:¥3.6838
参考库存:41110
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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