SIHA180N60E-GE3原装正品_库存数量_PDF手册

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220FP-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Id-连续漏极电流	19 A
Rds On-漏源导通电阻	180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	3 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	33 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	33 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
系列	E
晶体管类型	1 N-Channel E-Series Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	5.3 S
下降时间	23 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	49 ns
工厂包装数量	1
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	22 ns
典型接通延迟时间	14 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BSC16DN25NS3 G	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3	1:¥12.8368 10:¥10.9158 100:¥8.6784 500:¥7.6388 5,000:¥5.6839 10,000:查看	参考库存:16788
2N7002-T1-E3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 60V 0.115A 0.2W	1:¥4.3844 10:¥2.4634 100:¥1.3221 500:¥1.05994 3,000:¥0.68365 6,000:查看	参考库存:2069050
SSM3K7002KFU,LF	Toshiba	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V	1:¥1.7628 10:¥1.5368 100:¥0.53788 1,000:¥0.3842 3,000:¥0.30736 9,000:¥0.23052	参考库存:39662
PD84008L-E	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans	1:¥73.3031 10:¥66.3084 25:¥63.2348 100:¥54.8615 3,000:¥40.115	参考库存:16464
IPT015N10N5ATMA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 300A HSOF-8	1:¥52.3303 10:¥47.2566 25:¥45.1096 100:¥39.1093 2,000:¥28.589	参考库存:105031