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分立半导体
PD85015-E参考图片

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PD85015-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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数量单价合计
1
¥156.9118
156.9118
5
¥155.2959
776.4795
10
¥144.7643
1447.643
25
¥138.2329
3455.8225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
16 dB
输出功率
15 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85015-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
59 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N4464
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥107.35
10:¥97.5868
25:¥90.287
50:¥85.3715
参考库存:1773
MBRH12045R
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY D67 20-100V 120A 45P/32R
1:¥350.1644
5:¥340.4012
10:¥326.344
25:¥302.8287
参考库存:1790
SS8P3C-M3/87A
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 30 Volt
1:¥5.3788
10:¥4.1471
100:¥3.0849
500:¥2.5312
6,500:¥1.6724
参考库存:31047
TT251N12KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 410A DUAL
1:¥1,146.9161
5:¥1,124.3274
10:¥1,071.918
25:¥1,049.4084
参考库存:1564
1N942
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥166.7428
10:¥151.533
25:¥140.233
50:¥132.6281
参考库存:2051

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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